近日，第36屆國際功率半導體器件與集成電路會議（ISPSD，The 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）在德國不萊梅召開，本次大會匯聚了來自全球功率半導體領域的最新優秀科研成果，共錄用了141篇高質量論文，全面展示了全球功率半導體技術最新研究進展。電子科技大學集成電路學院功率集成技術實驗室（PITeL）在這場功率學術盛會中再次成為焦點，以全球占比12%的發文量（總計17篇論文，其中電子科技大學牽頭發表15篇論文，含3篇Oral報告和12篇Poster論文）脫穎而出，再次奪得了團隊發表論文數量全球第一。這是實驗室自2013年以來第8次獲此殊榮，充分彰顯了PIteL在功率半導體研究領域的深厚實力和持續領先地位。　

功率集成技術實驗室18名師生參加第36屆IEEE ISPSD國際會議

　　實驗室入選的17篇論文研究內容廣泛而深入，涵蓋了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、高壓器件（HV）、低壓功率器件與功率IC技術（LVT）和功率集成電路設計（ICD）等多個研究方向。這些研究深入探討了硅基/寬禁帶器件、功率集成技術、功率IC、可靠性及器件模型等核心議題，充分體現了PITeL作為“功率半導體領域研究最為全面的學術團隊”的研究特色和學術底蘊。實驗室堅持做“頂天立地”的科研，將學術與產業深度融合，所發表成果中5項技術已在企業實現大規模量產。

功率集成技術實驗室3篇oral報告

功率集成技術實驗室13篇Poster報告

　　特別值得一提的是，在功率集成電路設計（ICD）方向，全球僅有2篇oral入選，全部為功率集成技術實驗室牽頭發表成果。賴榮興博士發表的“ A Quad-Slope Smart Gate Driver with Mixed-Signal Auto-Timing Technique for Power Devices Segment Control”，首創性地提出數模混合分段技術，具備自動分段點追蹤能力，可有效地適應器件性能漂移以及一致性不均勻問題，實現了對功率器件開關過程共模噪聲的精確控制以及降低25%以上的開關損耗。莊春旺博士發表的“An Integrated Low Power Enhanced Pull-Up GaN Driver Using SenseHEMT for Reliable and Fast Short-Circuit Protection”，基于0.25微米 GaN-on-Silicon 工藝，設計了一款低功耗具有快速短路響應能力的單片全集成GaN驅動電路。利用low-power enhanced pull-up (LPEP) technique技術，在解決單片集成GaN驅動器上拉能力弱問題的同時，實現了低的驅動器功耗。

功率集成技術實驗室報道的兩款功率IC芯片

　　ISPSD作為功率半導體領域的國際頂級學術會議，素有領域“奧林匹克”之稱。此次會議吸引了全球400余名學者和工程技術人員參與，為國內外功率半導體行業提供了一個寶貴的交流平臺。電子科技大學功率集成技術實驗室18名老師同學參加了此次大會，與全球同行共同探討和分享功率半導體的最新成果。

　　功率半導體作為電子科技大學集成電路領域的特色學科，也是電子薄膜與集成器件全國重點實驗室的三大主要學術研究方向之一，為電子科技大學集成電路研究中心的重要組成部分。此次會議上，功率集成技術實驗室的卓越表現，不僅提升了電子科技大學在國際學術界的聲譽，也為我國功率半導體技術的發展增光添彩。未來，學院期待功率集成技術實驗室能夠繼續保持其領先地位，為全球功率半導體技術進步貢獻更多的中國智慧和中國方案。

編輯：羅莎 　/　審核：李果 　/　發布：陳偉